Процессы микро- и нанотехнологий, задача, за деньги )

[karakum Профиль]

У знакомой завтра экзамен, нужно решить две задачи до вечера.
Помогите за денежную благодарность.
Пишите в лс.

Процессы микро- и нанотехнологий

Тема - диффузия
Разработайте процесс двустадийной диффузии для формирования n-слоя толщиной 5 мкм с поверхностной концентрацией 5x10[sup]16[/sup] см[sup]-3[/sup] при удельном сопротивлении p-Si подложки 10 Ом*см.

Тема – имплантация
Базовая область транзистора формируется имплантацией ионов бора с последующей диффузионной разгонкой. Финишная толщина диффузионного слоя 0,25 мкм, величина слоевого сопротивления 250 Ом/см[sup]2[/sup] (или м[sup]2[/sup], в задание не понятно написано). Концентрация примеси в подложке N[sub]B[/sub]=1*1016 см[sup]-3[/sup]. Определите требующуюся дозу ионов бора, если имплантация проводится через слой диоксида кремния, а пик распределения ионов находится на границе Si/SiO[sub]2[/sub]. Определите необходимую продолжительность разгонки при температуре 1100ºC.
[hr]
Блин, теги не учитывает.
То, что между [sup] и [/sup] это надстрочный текст, т.е. степень.
То, что между [sub] и [/sub] это подстрочный текст.