30 октября 2018 12:45 / Просмотров: 131

ОмГТУ ведет разработки в сфере электронной компонентной базы

ОмГТУ ведет разработки в сфере электронной компонентной базыНаучные исследования профинансировало Минпросвещения РФ.

В 2017 году научный коллектив кафедры «Радиотехнические устройства и системы диагностики» Омского государственного технического университета получил поддержку Минпросвещения РФ . Университету было выделено 60 млн. рублей на разработки в области создания электронной компонентной базы, а исследование включено в Федеральную целевую программу «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы».

Научный коллектив заканчивает второй год исследований. Сегодня уже можно подвести итоги этой работы. Задача научного исследования, которое было профинансировано в 2017 году, — создание новой сверхвысокочастотной и сверхширокополосной электронной компонентной базы (уникальный идентификатор работ: RFMEFI57417X0164).

Разрабатываемая элементная база имеет широкой применение: парктроники, роботы-автомобили, дроны, охранные системы, техническое зрение и многое другое. Научный коллектив работает над радиолокационными компонентами, которые используются в составе различных устройств. Задача коллектива – разработать сверхширокополосную систему на кристалле, которую можно представить как некий первичный преобразователь, который принимает сигнал, предварительно обрабатывает, отфильтровывает и отдает дальше. Это лишь часть большой системы, но важная, значимая, и без которой вся система не будет работать эффективно.

Сам «первичный преобразователь» — технически сложное взаимоувязанное устройство, состоящее из нескольких сложно-функциональных блоков. Существующая элементная база, та, которая сегодня используется в мире, не позволяет «комбинировать» эти блоки. При их «комбинировании» приходится решать множество дополнительных задач. Научный коллектив Омского политеха решает комплексную задачу – создает не каждый сложно-функцональный блок по отдельности, а сверхширокополосную систему на кристалле, где все компоненты будут размещены на единой полупроводниковой подложке с применением кремний-германиевых технологий.

За минувший год коллективом в технологическом базисе кремний-германий 130 нм разработаны 4 варианта микросхем и изготовлены экспериментальные образцы сложно-функциональных блоков широкополосных малошумящих усилителей, смесителей, умножителей частоты и прецизионных источников опорного напряжения и тока, входящих в состав системы на кристалле. В настоящее время проводятся испытания полученных экспериментальных образцов, осуществляется корректировка комплексных инженерных решений, и прорабатываются вопросы согласования сложно- функциональных блоков в составе системы на кристалле.

Похожие публикации:

Все новости

Комментарии запрещены.